بررسی رسانش الکترونی یک نانوسیم سه پایانه ای

Authors

آرزو تارخ

دانشگاه شهرکرد محمد مردانی

دانشگاه شهرکرد حسن ربانی

دانشگاه شهرکرد

abstract

در این مقاله رسانش الکترونی یک زنجیره ی ساده و یک چند پار پلی استیلنی که هر یک به سه هادی ساده متصل می شود، بررسی می شود. محاسبات براساس رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین در تقریب نزدیک ترین همسایه انجام شده است. دو نوع رسانش یکی آنچه بین هادی های چپ و راست و دیگری آنچه بین هادی های چپ و بالا وجود دارد، به صورت تابعی از انرژی محاسبه شده و رفتار آن ها نسبت به مکان اتصال هادی بالا مورد مطالعه قرار گرفته است. نتایج نشان می دهد که وجود و محل اتصال هادی سوم در سیم مرکزی، تأثیر زیادی بر مقدار و رفتار رسانش های ذکر شده دارد. مقدار هر رسانش در انرژی صفر در مورد پلی استیلن با تغییر مکان هادی سوم قابل کنترل است.

Upgrade to premium to download articles

Sign up to access the full text

Already have an account?login

similar resources

بررسی رسانش الکترونی یک نانوسیم سه پایانه‌ای

در این مقاله رسانش الکترونی یک زنجیره‌ی ساده و یک چند پار پلی استیلنی که هر یک به سه هادی ساده متصل می‌شود، بررسی می‌شود. محاسبات براساس رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین در تقریب نزدیک‌ترین همسایه انجام شده است. دو نوع رسانش یکی آنچه بین هادی‌های چپ و راست و دیگری آنچه بین هادی‌های چپ و بالا وجود دارد، به صورت تابعی از انرژی محاسبه شده و رفتار آن‌ها نسبت به مکان اتصال هادی بالا مورد مطالعه قرا...

full text

رسانش الکترونی یک نانوسیم شامل اتم های مرتعش سطحی

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...

full text

رسانش الکترونی یک نانوسیم شامل اتم های مرتعش سطحی

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...

full text

رسانش الکترونی یک مولکول خطی سه اتمی در دمای غیر صفر

در این مقاله رسانش الکترونی مولکول خطی سه اتمی که بین دو هادی نیمه نامتناهی ساده قرار دارد، با استفاده از روش استاندارد تابع گرین در رهیافت تنگ بست، به دست می آید. با در نظر گرفتن اثر برهمکنش الکترون ـ فونون و تغییرات دما در رژیم بی دررو، رسانش الکترونی سامانه ی مرکزی بررسی می شود. نتایج نشان می دهد که با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون میزان پراکندگی الکترونی در اثر برخورد با اتم های مرتعش...

full text

مطالعۀ رسانش گرمایی نانوسیم های کوانتومی Si و GaAs

در این مقاله رسانندگی گرمایی در یک دستگاه یک‌بُعدی، شامل نانوسیم‌های نیم‌رسانا با جنس سیلیکن و گالیوم آرسنیک محاسبه و رسم شده است. روش به‌کاررفته حل معادلۀ بولتزمن برای پراکندگی فونونی است. در مواردی که پراکندگی خالص فصل مشترک باشد، رسانندگی هم در نانوسیم سیلیکنی و گالیوم آرسنیکی مقدار بیشتری را نشان می‌دهد. رسانندگی با افزایش قطر نانوسیم افزایش می‌یابد. دو مدل متفاوت برای رسانندگی در این پژوهش ...

full text

رسانش الکترونی یک مولکول خطی سه اتمی در دمای غیر صفر

در این مقاله رسانش الکترونی مولکول خطی سه اتمی که بین دو هادی نیمه نامتناهی ساده قرار دارد، با استفاده از روش استاندارد تابع گرین در رهیافت تنگ بست، به دست می آید. با در نظر گرفتن اثر برهمکنش الکترون ـ فونون و تغییرات دما در رژیم بی دررو، رسانش الکترونی سامانه ی مرکزی بررسی می شود. نتایج نشان می دهد که با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون میزان پراکندگی الکترونی در اثر برخورد با اتم های مرتعش...

full text

My Resources

Save resource for easier access later


Journal title:
پژوهش سیستم های بس ذره ای

جلد ۶، شماره ویژه نامه شماره ۱ (مجموعه مقالات منتخب اولین کنفرانس ملی فیزیک نانو و فرامواد از شبیه سازی تا صنعت سال ۱۳۹۴)، صفحات ۱۳-۱۷

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023