بررسی رسانش الکترونی یک نانوسیم سه پایانه ای
Authors
abstract
در این مقاله رسانش الکترونی یک زنجیره ی ساده و یک چند پار پلی استیلنی که هر یک به سه هادی ساده متصل می شود، بررسی می شود. محاسبات براساس رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین در تقریب نزدیک ترین همسایه انجام شده است. دو نوع رسانش یکی آنچه بین هادی های چپ و راست و دیگری آنچه بین هادی های چپ و بالا وجود دارد، به صورت تابعی از انرژی محاسبه شده و رفتار آن ها نسبت به مکان اتصال هادی بالا مورد مطالعه قرار گرفته است. نتایج نشان می دهد که وجود و محل اتصال هادی سوم در سیم مرکزی، تأثیر زیادی بر مقدار و رفتار رسانش های ذکر شده دارد. مقدار هر رسانش در انرژی صفر در مورد پلی استیلن با تغییر مکان هادی سوم قابل کنترل است.
similar resources
بررسی رسانش الکترونی یک نانوسیم سه پایانهای
در این مقاله رسانش الکترونی یک زنجیرهی ساده و یک چند پار پلی استیلنی که هر یک به سه هادی ساده متصل میشود، بررسی میشود. محاسبات براساس رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین در تقریب نزدیکترین همسایه انجام شده است. دو نوع رسانش یکی آنچه بین هادیهای چپ و راست و دیگری آنچه بین هادیهای چپ و بالا وجود دارد، به صورت تابعی از انرژی محاسبه شده و رفتار آنها نسبت به مکان اتصال هادی بالا مورد مطالعه قرا...
full textرسانش الکترونی یک نانوسیم شامل اتم های مرتعش سطحی
در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...
full textرسانش الکترونی یک نانوسیم شامل اتم های مرتعش سطحی
در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...
full textرسانش الکترونی یک مولکول خطی سه اتمی در دمای غیر صفر
در این مقاله رسانش الکترونی مولکول خطی سه اتمی که بین دو هادی نیمه نامتناهی ساده قرار دارد، با استفاده از روش استاندارد تابع گرین در رهیافت تنگ بست، به دست می آید. با در نظر گرفتن اثر برهمکنش الکترون ـ فونون و تغییرات دما در رژیم بی دررو، رسانش الکترونی سامانه ی مرکزی بررسی می شود. نتایج نشان می دهد که با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون میزان پراکندگی الکترونی در اثر برخورد با اتم های مرتعش...
full textمطالعۀ رسانش گرمایی نانوسیم های کوانتومی Si و GaAs
در این مقاله رسانندگی گرمایی در یک دستگاه یکبُعدی، شامل نانوسیمهای نیمرسانا با جنس سیلیکن و گالیوم آرسنیک محاسبه و رسم شده است. روش بهکاررفته حل معادلۀ بولتزمن برای پراکندگی فونونی است. در مواردی که پراکندگی خالص فصل مشترک باشد، رسانندگی هم در نانوسیم سیلیکنی و گالیوم آرسنیکی مقدار بیشتری را نشان میدهد. رسانندگی با افزایش قطر نانوسیم افزایش مییابد. دو مدل متفاوت برای رسانندگی در این پژوهش ...
full textرسانش الکترونی یک مولکول خطی سه اتمی در دمای غیر صفر
در این مقاله رسانش الکترونی مولکول خطی سه اتمی که بین دو هادی نیمه نامتناهی ساده قرار دارد، با استفاده از روش استاندارد تابع گرین در رهیافت تنگ بست، به دست می آید. با در نظر گرفتن اثر برهمکنش الکترون ـ فونون و تغییرات دما در رژیم بی دررو، رسانش الکترونی سامانه ی مرکزی بررسی می شود. نتایج نشان می دهد که با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون میزان پراکندگی الکترونی در اثر برخورد با اتم های مرتعش...
full textMy Resources
Save resource for easier access later
Journal title:
پژوهش سیستم های بس ذره ایجلد ۶، شماره ویژه نامه شماره ۱ (مجموعه مقالات منتخب اولین کنفرانس ملی فیزیک نانو و فرامواد از شبیه سازی تا صنعت سال ۱۳۹۴)، صفحات ۱۳-۱۷
Keywords
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023